栅氧化膜相关论文
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺......
在制作半导体器件时采用的等离子体工序中带电时,由于电子屏蔽效应而栅氧化膜受到损伤.NEC开发了可有效分析其损伤程度的新方法. ......
目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入深亚微米和超深亚微米工艺时代.随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流.等......
本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频......
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺......
等离子体工艺最初被引入集成电路制造时,人们就意识到等离子体损伤对器件的潜在威胁,进而通过大量试验研究损伤的机理以及避免损伤......
据研究发现,当采用掺杂多晶硅作为扩散源时,硼与磷会扩散到热生长二氧化硅层中去,这种扩散的快慢与推进气氛有关,在氢气中扩散最快......
高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）,具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工......
