栅电荷模型相关论文
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。......
功率MOSFET是应用最为广泛的功率半导体器件,因为价格低廉,技术成熟,开关速度快,驱动简单等诸多优点使它被广泛的应用在便携的电子......