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栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究
源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按脚μnCur[α+(0. ......
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电流崩塌效应
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栅脉冲
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current collapse
AlGaN/GaN
HEMT
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