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椭圆偏光谱仪相关论文
N2^+注入Si的折射率谱和弛豫时间
用TPP-1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为50 keV,不同注入剂量的N+2注入Si的折射率谱.计算了单晶硅电极化的弛豫时间,并对上述结果......
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离子注入
椭圆偏光谱仪
折射率谱
弛豫时间
单晶硅
SI
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N2^+
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Ion implantation
Ellipsometry spectrs
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