传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少......

LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)器件最初作为微波双极型晶体管替代产品应用......