由于硅为间接带隙材料，体硅的带间辐射复合率相当低，因而不具有良好的光学特性。考虑到硅材料的工艺、技术以及经济效益等因素，近年来......

基于标准CMOS工艺的p＋源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管（Si-LED）,采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计......