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气相成核率相关论文

LICVD法纳米硅制备过程中的成核及生长

自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置，利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30～60nm之间。通过对不同反应气......

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LICVD法纳米硅激光诱导化学气相沉积法激光能量阈值气体流量亚晶界气相成核率晶粒 nano-siliconLICVDgrowth and nucl

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