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氟19离子辐照相关论文
85MeV^19F离子辐照GaP的正电子湮没研究
用正电子湮没寿命技术研究了2.4×1015/cm2和2.2×1016/cm285MeV19F离子辐照GaP的辐照效应。结果表明,辐照在GaP中产生浓度......
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辐照效应
正电子湮没
抗辐射性能
磷化镓半导体
氟19离子辐照
GaP
19F ions
Radiation effect
Positron annihi
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