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电子信息产业的迅猛发展、半导体照明的需求与日俱增，呼唤半导体超高密度存储、半导体蓝紫光照明的蓬勃兴起。这类蓝紫光半导体应用......
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氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ—Ⅵ族直接带隙半导体材料，禁带宽度为3.37 eV，对应于紫外光波段；同时拥有很大的激子束缚能，室温下达到60 meV。因......
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六方纤锌矿结构ZnO是一种直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温禁带宽度为3.37 eV，激子结合能为60 meV，远高于其它宽禁带半导体材料......
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以铜片为衬底，用硝酸锌水溶液为电解液，采用阴极恒电流还原制备氧化锌薄膜。通过改变电流密度、电解液浓度、温度、离子掺杂等实验条......
