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氧化镓肖特基二极管相关论文
氧化镓肖特基器件仿真和高铝组分铝镓氧研究
氧化镓(Ga2O3)具有带隙大(约4.8 eV)、高击穿场强(约8 MV/cm)的优点,同时Ga2O3相对于碳化硅(Si C)和氮化镓(Ga N)具有更高的巴利加优值,使Ga2......
学位
氧化镓肖特基二极管
场板结构
高击穿电压
β-(Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>)&
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