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氮化氧相关论文
高κ栅介质Ge基MOS器件模型及制备工艺研究
随着互补金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小,Si基MOS器件的发展达到了其物理极限,新的沟道材料,如应力Si、应力SiGe合......
学位
锗MOS器件
高κ栅介质
界面特性
等效氧化物厚度
氧化钛铪
氮化氧
化钛铪
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