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氮化锢相关论文
玻璃衬底上GaN和InN制备的研究
氮化镓(GaN)和氮化铟(InN)都属于Ⅲ/Ⅴ族直接带隙半导体,室温下禁带宽度分别是3.39eV和0.7eV。InN、GaN以及AlN(氮化铝)的合金可以......
学位
等离子体增强金属有机物化学气相沉积
玻璃衬底
氮化稼
氮化锢
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