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沟道耗尽层相关论文
利用变分方法分析深亚微米MOS器件中的短沟效应
该文利用求解泊松方程的变分方法导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。均匀掺杂沟道体硅MOSFET、该征掺杂沟道体硅MOSFET和SOIMOSFET短沟效应数......
会议
MOS器件
短沟效应
栅介质
沟道耗尽层
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