沟道调制效应相关论文
该硕士学位论文通过单元电路的设计,研究了纳米MOSFET在模拟和数字两类集成电路中可能的应用.使用沟道长度100nm以下的MOSFET设计......
提出一种基于TSMC40LP工艺的输入信号缓冲器,用于12 bit 4 GSPS ADC的缓冲器设计。本缓冲器采用开环源随器结构,由于工艺角和温度......
传统驱动器由级联式的反相器组成,很难兼备速度快、驱动能力强及可靠性高的特点。为了提升驱动器的综合性能,设计了一款高速场效应......