浅施主杂质相关论文
采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等维数α应用在量子阱线中来考察矩形横截面量子阱线中浅施主杂质的结合能，并对等横截面......
在有效质量近似下，采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs／Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响：计算了线宽、......
为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响。在有效质量近似下．采用变分方法计算厂对称GaAs／AlxGa1-xAs双......
在有效质量近似下,本文采用数学形式简单物理意义明确的尝试波函数,利用变分法数值计算了有限深对称GaAs/Ga1-xAlxAs矩形双量子点......
利用光热电离谱技术研究了4．5K下高纯n－GaAs外延材料的远红外光电导响应借．给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是......
