设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响......

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有Ｔ型栅的ＨＦＥＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）器件，并对０．１μｍ栅长ＨＦＥＴ器件的整套工艺......

GaN HEMT器件以其高频大功率等特点成为下一代微波功率器件的绝佳选择,在军事和民用领域均得到了广泛的应用,目前,毫米波频段GaN基......