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温控烧结法相关论文
温控烧结法制备高温PTCR陶瓷
本实验以固相合成的(Ba_(0.6)Pb_(0.4))TiO_3为主要原料,在较宽的温度范围内(1280—1360℃)制得了Tc>320℃、室温电阻率低达几十Ω......
期刊
PTCR陶瓷
温控烧结法
居里温度
电阻率
PTCK ceramic curie point resistivity at room temperature G
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