源漏间距相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

源漏间距相关论文

f_T为102GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

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期刊

AlGaN AlGaN/GaN f_T 栅长器件 T形栅源漏间距电子束光刻直流特性外延生长

GaN HEMT微波段开关器件及开关电路研究

氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体料，具有高热导率、高击穿电压、高电子漂移率、耐高温、耐高压、抗辐照等优势，适用于毫米波数字相......

学位

开关器件氮化镓开关电路源漏间距栅极宽度

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