源驱动电路相关论文
由于 P-Si TFT器件的特性与用于LSI的MOS-FET的特性相同,而CMOS电路以其结构简单规则、功耗低、集成度高等优点,成为当今集成电路的......
分析了多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵驱动的结构和源驱动器的驱动原理及基本构成,并针对分辨率为800×600的64级灰度的V......
分析了多晶硅薄膜晶体管(poly—Si TFT)的象素结构,和数字源驱动电路的驱动原理及基本构成。针对分辨率为600×800的64级灰度的VG......