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用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h。测试了晶体的Te夹杂情......
采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd_（0.9）Zn_（0.1）Te晶体。测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过......
为了解决Cd0.9Zn0.1Te（CZT）晶体生长温度高、单晶率低、成分不均匀等问题, 采用溶剂熔区移动法（THM）在优化工艺参数下生长了掺In的CZT......
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