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漂移区正应变射频器件相关论文
应变RF LDMOSFET的研究
应变技术通过对能带进行调制以减小载流子有效质量与散射率,提升载流子迁移率从而提升器件性能,且与CMOS工艺兼容,被广泛运用于MOS......
学位
应变PSOI RF LDMOSFET
超薄应变RF PSOI器件
漂移区正应变射频器件
应力反型
短沟道效应
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