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热氨化相关论文

氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构界面调控及其电致发光特性研究

GaN作为一种宽带隙(3.4 eV)的直接带隙化合物半导体材料,具有高热导率、高电子迁移率、良好的化学和热稳定性,在制备发光二极管(li......

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硅纳米孔柱阵列(Si-NPA) 氮化镓(GaN) 纳米异质结发光二极管(LED) 热氧化热氨化电致发光(EL) 整流特性

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