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电子速度饱相关论文
超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究
本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明......
会议
超薄
软击穿
特性
栅电压
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电子速度饱
通道
散射机制
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