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采用共溅射技术，在不同的基片温度下制备出了不同晶拉尺寸的GaAs纳米颗粒在SiO介质中的镶嵌薄膜。对样品进行了先吸收测试，得到了在......
用Si(111)上MOCVD生长的晶态AlN制备出性能良好的Al/AlN/Si(111)MIS结构,用C-V技术首次系统研究了Al/AlN/Si MIS结构的电学性质.用......
利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_S......
用Si（lll）上MOCVD生长的晶态AIN制备出性能良好的Al／AlN／Si（lll）MIS结构，用C-V技术首次系统研究了Al／AlN／Si MIS结构的电学性质。用Al／AlN／SiM......
界面是功能氧化物/半导体异质薄膜研究的重要内容。功能氧化物/半导体薄膜既具有以半导体载流子的场效应与输运性质,又具有氧化物......
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度大及化学性质稳定等特点,在......
近年来,随着半导体材料生长工艺的不断成熟,AIN/GaN作为Ⅲ族氮化物异质材料体系的代表,受到越来越多的关注。相对于传统的AlGaN/Ga......
