用半绝缘砷化镓（SI-GaAs）材料制备了太赫兹（THz）光导天线和天线阵列,其电极间隙分别为50μm、100μm、150μm。用THz时域光谱系统（THz-T......

报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果．GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电......