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电流崩塌效应(Current collapse)是影响AIGaN/GaN HEMT器件在微波大功率领域大规模应用的主要因素。随着表面电子陷阱被来自栅电极......
通过对AlGaN/GaNHEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaNHEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从......
期刊
研究在N2中利用直流扫描电压法、直流偏压法、交流阻抗谱法三种方法,分别测定了两类混合导电材料的电子电导率。研究发现,对于以电......
