研究了较低掺杂浓度时ＩｎＡｓ量子点中直接掺杂Ｓｉ对其发光特性的影响。光致发光谱（ＰＬ）的测量表明，与未掺杂样品相比，掺杂样品发光峰稍微蓝移，同时伴......

利用退火技术，实现了在低温ＧａＡｓ外延层上ＩｎＡｓ量子点的生长。透射电镜（ＴＥＭ）研究表明，低温ＧａＡｓ外延层上生长的ＩｎＡｓ量子点比通常生长的ＩｎＡｓ量子眯明显变小，且密度变......

对LP－MOCVD生长InAs量子点进行了背散射几何配置下的拉曼散射分析和比较，发现InAs量子点的LO模和TO模与体材料相比发生了较大程度的......