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砷化镓单晶生长相关论文
VGF法Si—GaAs单晶生长过程中产生位错的因素
摘 要:阐述了现有VGF法Si-GaAs单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素。与掺入杂质Si浓度;熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近......
期刊
位错密度
砷化镓单晶生长
VGF生长法
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