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砷铝镓三元化合物相关论文

基于HgCdTe薄膜和GaAs／AlGaAs多量子阱的红外光电探测器列阵

俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所设计并制作了若干用于3μm～12μm光谱范围的光电探测器组件.这些光电探测器组件都是以用......

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多量子阱碲镉汞薄膜砷化镓砷铝镓三元化合物 HGCDTE薄膜 GAAS/ALGAAS 红外光电探测器列阵

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