硅基锗薄膜相关论文
本文提出了一种利用分子束外延系统(MBE),通过改性后的低温高温两步法,在(001)硅片上生长高质量应变驰豫的锗膜的方法.这种改性后......
利用射频磁控溅射法制备了硅基锗异质薄膜，并对薄膜进行退火研究.利用椭圆偏振光谱对不同射频溅射功率下硅基锗异质薄膜的折射率和......
为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜。将生长后的......
近年来,对摩尔定律的残酷追逐导致芯片上器件特征尺寸逐渐达到电子器件的瓶颈,而且对互连带宽密度的需求也在日益增大。为了解决电......
采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续......
