利用亚阈测量技术对BF+2 注入硅栅PMOSFET辐射感生界面陷阱进行了测量。对BF+2 注入PMOSFET具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了......

利用亚阈测量技术对ＢＦ＾＋２注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ辐射感生界面陷阱进行了测量。对ＢＦ＾２＋注射ＰＭＯＳＦＥＴ具有抑制辐射感生界面陷阱的机理进行了分析和讨论。......

本文系统地研究了ＢＦ２＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＋注入是一种抗γ辐......