硅锗异质结相关论文
硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)以其高性能、高集成度、低成本以及与硅工艺兼容的特点，被广泛应用于无线通信电路中。作为设计Si......
随着对Si基半导体器件速度和功率要求的不断提高，使用应变方法进行人工能带剪裁的技术显得越来越重要。这项技术的基础，就是得到表面......
应变硅能够提高电子和空穴的迁移率，有希望成为高性能金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的n型和p型沟道材料。以绝缘体上弛豫的S......
功率SiGe异质结晶体管(HBTs)通常采用多发射极指结构,由于器件自身耗散功率引起的自加热效应及各个发射极指之间的热耦合效应,导致......
纳米尺寸的硅锗材料结构，其力学性质、电学性质和力电耦合性质均受到应变效应、界面效应、组分效应、量子限制效应等微观效应的影响......
目前日益突出的环境问题,让人们更加注重发展绿色环保产业。节能减排,减轻环境污染已经成为全社会的责任。使用性能优越的电力半导......
本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。...
