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弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱隧穿结构的磁隧穿特性研究
研究了低温(1.5K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不......
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