近年来,赋予半导体氧化物铁磁性的研究深受科研工作者的关注,因此稀磁半导体(DMS)材料愈发受到重视。而开发基于电子自旋的科学技......

应用基于自旋极化的第一性原理系统地对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂CuGaS2的磁学性质进行理论计算.通过对过渡金属......

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属（TM=V,Cr、Mn、Fe、Co和Ni）掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2（CdCeP2和ZnGeP2）黄铜矿半导体进行系统计算......

通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素（TM）掺杂六方结构碳化硅（4H-SiC）晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结......

用化学气相沉积法（CVD），在生长温度为600、650和700℃条件下，未采用任何催化剂制备了Mn掺杂ZnO纳米棒。研究发现，随着生长温度的升高，样......

利用溶胶-凝胶法制备了一系列的稀磁半导体材料如Zn1-xNixO、n1-2xMnxNixO及Zn1-2xCoxNixO晶体粉末,通过震荡样品磁强计（VSM）、X射线......

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外，ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、......

采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极......