以氮化镓(gallium nitride,GaN)为代表的第三代宽带隙半导体材料,由于其优良的光学(带隙宽度可调:0.67-6.2 eV)和电学(高击穿电场......

半导体器件特征尺寸的不断减小对纳米技术提出了更高的要求。特别是对于纳米器件，互连层的制作要求其结构尽量的薄和完整。因此，原子......