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级联自偏置结构相关论文
一种高精度CMOS带隙基准电路的设计
采用ASMC0.35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出1V的带隙基准源电路。该设计中,偏置电压采用级联自偏置结......
期刊
互补金属氧化物半导体(CMOS)
级联自偏置结构
带隙基准
温度补偿
电源抑制比
complementary metal-oxide semiconductor
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