纳米硅粒相关论文
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同......
测量了掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅这四种薄膜室温下的光致发光谱,这四种薄膜在光激发下都具有Er3+......
采用磁控共溅射法制备了含纳米硅粒尺寸不同的氧化硅薄膜.对各种样品测量了光致发光谱, 其发光峰位位于655～665nm.通过对样品所作的......
利用阳极氧化法制备了5种光致发光峰位不同的多孔硅,对该系列样品于400℃氧化处理1,2,4,8min和24min.通过研究其光致发光谱、红外......
对发射蓝光的多孔硅和氧化硅样品分别作了光致和光致发光激发光谱的对比研究，结果表明，当氧化温度达到1150℃时，多孔硅中的纳米硅粒完......
