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本文给出基于纳米硅薄膜晶体管高灵敏度磁传感器，该传感器由源（S）、漏（D）、栅（G）和沟道两侧距漏端0.5倍沟道长度处霍尔输出端（VH1和VH2）构成......
随着MEMS技术和IC技术迅速发展，传感器小型化、多功能化和集成化成为传感器发展的重要方向，本文基于CMOS工艺和MEMS技术研究设计、制......
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随着信息技术的高速发展，目前磁敏器件朝向小型化、集成化、网络化和智能化方向发展。因分裂漏MAGFET与CMOS工艺相兼容，可与信号处理......
本文通过对国内外非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管和纳米硅薄膜晶体管基本结构、特性和应用领域论述，设计给出顶部栅纳米硅薄膜......
