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用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As^+,H^+......
采用双晶X射线衍射仪测量了相同注入能量、不同注入剂量的As^+/N2^+组合离子注入Si的衍射曲线,借助X射线衍射的运动学理论和离子注入......
用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×1013~5×1015ion/cm2的N+2/As+组合离子注入Si的杂质浓度分布,由X射线衍......