第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料,由于其相比于第一代半导体硅(Si)材料有热导率高、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度大等特点......

碳化硅（SiC）由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体......

作为一种新型的复合型二极管，结型势垒肖特基二极管（Junction Barrier ControlledSchottky Rectifier，缩写JBS）具有大电流、高耐压、高......