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用结恢复电流研究a—Si:H p^+—i—n^+结构的缺陷
本文采用多次陷落模型,用结恢复电流技术研究了a—Si:H太阳电池长时间光照后的光致变化效应。发现光照之后的太阳电池比光照前空穴......
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太阳电池
结恢复电流
氧化非晶硅
a-si: HStaebler-Wronski effectJunction Recovery Current
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