结电压相关论文
半导体激光器（LD）是当今应用最广泛的激光器,尤以Ga N基LD发展迅猛,其电学和光学特性一直以来倍受广大研究学者关注。本文主要分析了......
以北京大学物理学院所进行的GaN基量子阱半导体激光器的早期实验结果为基础,利用激子极化激元凝聚态(Ex-citon-polariton condensa......
结温是表征LED性能的重要指标,与热阻有着密切关系,直接影响LED寿命。利用LED半导体器件结电压与结温的良好线性关系,测量大功率LE......
提出了一种利用正向电压下的导纳-电压(A-V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法,并给出了它的一般分析.利用这种方法,可以判断......
利用半导体工艺仿真工具 Silvaco TCAD 对局部氧化隔离技术进行了仿真，程序分为三部分：（1）进行器件仿真；（2）绘制 IV 曲线；（3）提取结电压。......
采用以结深r_j及qN_Br_j~2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出......
研究了一种新的基于激光器结电压测量的自混合干涉传感技术,通过测量激光二极管结电压的变化来获得激光自混合干涉信号。传统的自......
在FD-PN-4型PN结物理特性测定仪上测定了27～75 ℃温度下接成共基极线路的TIP3型硅三极管的Ubc与Ube,进一步探究了温度对PN结物理特......
半导体激光器是目前应用最广泛的器件之一,其电学和光学特性一直倍受关注。然而,一直以来都缺乏表征激光器电学特性的精确方法。本......
利用正向交流小信号结合直流I—U特性的方法对波长为650nm的发光二极管（LED）和激光二极管（LD）的正向电学特性进行精确表征.电学测量结......
