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采用放电等离子烧结法(SPS)制备了三元缺陷化合物Cu Ga3Te5热电半导体,并分析研究了其结构和热电性能。XRD分析结果表明,该半导体......
对三元化合物的一套热力学的描述(主要α - CuInSe_2，δ - CuInSe_2， CuIn_3Se_5 和 CuIn_5Se_8 ) 在 Cu-In-Se，系统被采用亚格子建立......
水热法合成了系列缺陷化合物Ｌａ２／３ＴｉＯ３－λ（λ＝０．０００￣０．０４６）粉末，利用ＸＲＤ及ＴＥＭ等技术对产物进行了表征；氧缺陷浓度增大，晶胞体积增大，在λ＝０．０２０时，化合物由正交相转变为四方相......
