腔极化激元相关论文
本文报道了半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微腔物理的研究工作.我们自行设计制备出了品质因数为1000以上的半导体平面InGaAs/GaAs量......
该报告对半导体平面量子微腔物理进行了深入的研究,主要工作如下:1.制备出了品质因数为1000以上的半导体平面InGaAs/GaAs量子阱微......
采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时,......
半导体微腔中腔模和激子模耦合形成腔极化激元,三维微腔中由于横向限定腔模和激子模形成离散化的本征模式.本文计算了远离截止近似下......
GaAs量子阱半导体微腔中, 光子同时与重空穴激子、轻空穴激子耦合形成腔极化激元.本文采用三谐振子耦合模型,计算了腔极化激元的三......