自截止腐蚀相关论文
平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型 .以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为 3— 4μm的Si平面薄膜 ,以热蒸发结合脱膜工艺制......
研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。......
以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度为 3～ 4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。制备过程中 ,重掺......
以重掺杂自截止腐蚀工艺制备的厚度3－4μm的自支撑Si平面薄膜已在X光激光和惯性约束聚变分解实验中得到应用。制备过程中，重掺杂B杂......
研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术，并结合自截止腐蚀技术。Si......
