该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有......

采用TbFeCo垂直磁化膜,对激光辅助(Laser-assi sted)磁记录方式的大优点--窄道记录特性进行了研究.评价了基于蓝色LD(Laser Diode:......

叙述了当前以ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的崛起。由于其优良的特性，用于制造蓝色发光二极管和激光二极管，引起了世界蓝光热。它的研究......