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介绍一种军用专用集成电路的核心器件－－ＭＮＯＳ管。存贮栅是该存贮管的制作关键，存贮栅由薄二氧化硅层和氧化硅复合膜组成。着重论述了复合膜......
在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性，研究了ＴＤＤＢ的击穿机理，讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响。对相关击穿电荷ＱＢＤ进行了实验测......
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转烃区的宽度，给出......
