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场效应晶体管（FET）可利用电场掺杂效应,通过电流电压测试,获得半导体材料的载流子迁移率,同时也是电子产品中广泛使用的开关元器件。......
采用中频磁控溅射技术,使用N2和Ar混合气体作为反应气体,分别溅射硼靶和石墨靶,在单晶硅衬底上制备了BCN薄膜.利用傅立叶变换红外......
利用中频磁控溅射技术制备了钛硅共掺杂的类金刚石(DLC)薄膜，考察了工艺参数对薄膜组成、微观结构和性能的影响，探讨了薄膜微观结构......
BST薄膜是微电子器件领域很有吸引力的介质材料.就BST薄膜研究中电极材料选择这一焦点问题进行综述,包括电极材料的种类,电极对薄......
