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本文提出一种适用于RF SOI工艺MOS变容管行为表征的新模型.提出的模型考虑了SOI衬底的物理特性,并给出了解析提取衬底寄生网络模型......
基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺......
