超势垒整流器相关论文
随着制备工艺的不断完善,碳化硅（SiC）MOSFET以其优越的材料特性,逐渐成为硅IGBT的有力替代者,可应用于轨道交通和电动汽车等中高功率......
提出了一种新型的超势垒整流器（SBR）。对SBR结构势垒进行了理论分析，建立了该器件正向压降的解析式，并设计了该器件的工艺流程。仿真结......
超势垒整流器(Super Barrier Rectifier)的主要原理是通过MOS沟道为多数载流子建立一个"超级"势垒,以替代相对可靠性较低的金属-半......
